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    广东省半导体产业技术研究院2018年诚聘海内外优秀人才
    文章来源:www.0755rc.com   发布日期:2018年03月15日 14:49
  1.资历:知名大学或科研机构的正副教授、高级研究人员、知名企业研发部门负责人或高级研发人员;在所从事的研究领域具有较高的学术造诣和影响力,或有重大的技术创新经验和成果;年龄一般在45周岁以下,特别优秀的可放宽。
 
  2.专业:半导体相关领域。
 
  3.待遇:提供具有国际竞争力的待遇,采取年薪、股权、或年薪+股权混合方式,具体面议;。
 
  4.根据个人意愿,积极支持申报国家、省级人才计划。
 
  博士骨干研发人员
 
  1.专业:凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等专业有较好的科研或技术开发业绩,年龄一般在35周岁以下,特别优秀的可放宽。
 
  2.主要研究领域:MOCVD半导体外延生长,半导体芯片工艺,半导体器件封装与集成,VECSEL,半导体激光器,电子电路设计及新型显示技术等(TFT及CMOS驱动显示IC设计),氮化物半导体材料与器件外延技术,新型宽禁带半导体材料及器件开发,半导体器件设计与制备,半导体材料器件表征分析,光学设计,图像处理算法。
 
  3.待遇:按广东省委省政府给予广东省科学院的优惠政策,待遇下有保底、上不封顶;特别优秀者可实行年薪制。
 
  博士后
 
  1.专业:凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等专业。
 
  2.主要研究领域:MOCVD半导体外延生长,半导体芯片工艺,VECSEL,半导体器件封装与集成,半导体材料器件表征分析,电子电路设计及新型显示技术等(TFT及CMOS驱动显示设计)。
 
  3.待遇:按广东省委省政府给予广东省科学院的优惠政策,提供具有竞争力的待遇,年薪20-35万;出站考核优秀者,可留院工作。
 
  研发支撑岗
 
  1.岗位需求:MOCVD半导体外延生长,半导体芯片工艺,半导体器件封装与集成,VECSEL,半导体激光器,电子电路设计及新型显示技术等(TFT及CMOS驱动显示IC设计),氮化物半导体材料与器件外延技术,新型宽禁带半导体材料及器件开发,半导体器件设计与制备,半导体材料器件表征分析,光学设计,图像处理算法等研究领域的硕士研究生,具有一定工作经验的优先考虑。
 
  2.待遇:提供具有竞争力的待遇,具体面谈。
 
  联系方式
 
  1.高层次人才职位联系人
 
  陈博士邮箱:44757431@qq.com
 
  电话:020-61086421、手机:13928783720
 
  2.其他职位联系人
 
  苏先生邮箱:gdsbdtcyjsyjy@163.com,179573225@qq.com
 
  电话:020-61086427、手机:18818806556
 
  邮件标题注明:应聘领域+本人姓名+高校人才网。
 
  通讯地址:广州市天河区长兴路363号
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